高三物理知識點小歸納

物理可以説是高中所有學科中最難的一科，因為高中物理不僅知識點多，需要理解的知識也很多，下面給大家分享一些關於高三物理知識點小歸納，希望對大家有所幫助。

高三物理知識點1

1.光的直線傳播

(1)光在同一種均勻介質中沿直線傳播.小孔成像，影的形成，日食和月食都是光直線傳播的例證。

(2)影是光被不透光的物體擋住所形成的暗區.影可分為本影和半影，在本影區域內完全看不到光源發出的光，在半影區域內只能看到光源的某部分發出的光.點光源只形成本影，非點光源一般會形成本影和半影.本影區域的大小與光源的面積有關，發光面越大，本影區越小。

(3)日食和月食:

人位於月球的本影內能看到日全食，位於月球的半影內能看到日偏食，位於月球本影的延伸區域(即"偽本影")能看到日環食;當月球全部進入地球的本影區域時，人可看到月全食.月球部分進入地球的本影區域時，看到的是月偏食。

2.光的反射現象---:光線入射到兩種介質的界面上時，其中一部分光線在原介質中改變傳播方向的現象。

(1)光的反射定律:

①反射光線、入射光線和法線在同一平面內，反射光線和入射光線分居於法線兩側。②反射角等於入射角。

(2)反射定律表明，對於每一條入射光線，反射光線是的，在反射現象中光路是可逆的。

3.平面鏡成像

(1)像的特點---------平面鏡成的像是正立等大的虛像，像與物關於鏡面為對稱。

(2)光路圖作法-----------根據平面鏡成像的特點，在作光路圖時，可以先畫像，後補光路圖。

(3)充分利用光路可逆-------在平面鏡的計算和作圖中要充分利用光路可逆。(眼睛在某點A通過平面鏡所能看到的範圍和在A點放一個點光源，該電光源發出的光經平面鏡反射後照亮的範圍是完全相同的。)

4.光的折射--光由一種介質射入另一種介質時，在兩種介質的界面上將發生光的傳播方向改變的現象叫光的折射。

(2)光的折射定律---①折射光線，入射光線和法線在同一平面內，折射光線和入射光線分居於法線兩側。

②入射角的正弦跟折射角的正弦成正比，即sini/sinr=常數。(3)在折射現象中，光路是可逆的。

5.折射率---光從真空射入某種介質時，入射角的正弦與折射角的正弦之比，叫做這種介質的折射率，折射率用n表示，即n=sini/sinr。

某種介質的折射率，等於光在真空中的傳播速度c跟光在這種介質中的傳播速度v之比，即n=c/v，因c>v，所以任何介質的折射率n都大於1.兩種介質相比較，n較大的介質稱為光密介質，n較小的介質稱為光疏介質。

6.全反射和臨界角

(1)全反射:光從光密介質射入光疏介質，或光從介質射入真空(或空氣)時，當入射角增大到某一角度，使折射角達到90°時，折射光線完全消失，只剩下反射光線，這種現象叫做全反射。

(2)全反射的條件

①光從光密介質射入光疏介質，或光從介質射入真空(或空氣)。②入射角大於或等於臨界角

(3)臨界角:折射角等於90°時的入射角叫臨界角，用C表示sinC=1/n

7.光的色散:白光通過三稜鏡後，出射光束變為紅、橙、黃、綠、藍、靛、紫七種色光的光束，這種現象叫做光的色散。

(1)同一種介質對紅光折射率小，對紫光折射率大。

(2)在同一種介質中，紅光的速度，紫光的速度最小。

(3)由同一種介質射向空氣時，紅光發生全反射的臨界角大，紫光發生全反射的臨界角小

高三物理知識點2

1.電磁感應現象：利用磁場產生電流的現象叫做電磁感應，產生的電流叫做感應電流。

(1)產生感應電流的條件：穿過閉合電路的磁通量發生變化，即ΔΦ≠0。(2)產生感應電動勢的條件：無論迴路是否閉合，只要穿過線圈平面的磁通量發生變化，線路中就有感應電動勢。產生感應電動勢的那部分導體相當於電源。

(2)電磁感應現象的實質是產生感應電動勢，如果迴路閉合，則有感應電流，迴路不閉合，則只有感應電動勢而無感應電流。

2.磁通量

定義：磁感應強度B與垂直磁場方向的面積S的乘積叫做穿過這個面的磁通量，定義式：Φ=BS。如果面積S與B不垂直，應以B乘以在垂直於磁場方向上的投影面積S′，即Φ=BS′，國際單位：Wb

求磁通量時應該是穿過某一面積的磁感線的淨條數。任何一個面都有正、反兩個面;磁感線從面的正方向穿入時，穿過該面的磁通量為正。反之，磁通量為負。所求磁通量為正、反兩面穿入的磁感線的代數和。

3.楞次定律

(1)楞次定律：感應電流的磁場，總是阻礙引起感應電流的磁通量的變化。楞次定律適用於一般情況的感應電流方向的判定，而右手定則只適用於導線切割磁感線運動的情況，此種情況用右手定則判定比用楞次定律判定簡便。

(2)對楞次定律的理解

①誰阻礙誰---感應電流的磁通量阻礙產生感應電流的磁通量。

②阻礙什麼---阻礙的是穿過迴路的磁通量的變化，而不是磁通量本身。③如何阻礙---原磁通量增加時，感應電流的磁場方向與原磁場方向相反;當原磁通量減少時，感應電流的磁場方向與原磁場方向相同，即“增反減同”。④阻礙的結果---阻礙並不是阻止，結果是增加的還增加，減少的還減少。

(3)楞次定律的另一種表述：感應電流總是阻礙產生它的那個原因，表現形式有三種：

①阻礙原磁通量的變化;②阻礙物體間的相對運動;③阻礙原電流的變化(自感)。

4.法拉第電磁感應定律

電路中感應電動勢的大小，跟穿過這一電路的磁通量的變化率成正比。表達式E=nΔΦ/Δt

當導體做切割磁感線運動時，其感應電動勢的計算公式為E=BLvsinθ。當B、L、v三者兩兩垂直時，感應電動勢E=BLv。(1)兩個公式的選用方法E=nΔΦ/Δt計算的是在Δt時間內的平均電動勢，只有當磁通量的變化率是恆定不變時，它算出的才是瞬時電動勢。E=BLvsinθ中的v若為瞬時速度，則算出的就是瞬時電動勢：若v為平均速度，算出的就是平均電動勢。(2)公式的變形

①當線圈垂直磁場方向放置，線圈的面積S保持不變，只是磁場的磁感強度均勻變化時，感應電動勢：E=nSΔB/Δt。

②如果磁感強度不變，而線圈面積均勻變化時，感應電動勢E=Nbδs/Δt。

5.自感現象

(1)自感現象：由於導體本身的電流發生變化而產生的電磁感應現象。

(2)自感電動勢：在自感現象中產生的感應電動勢叫自感電動勢。自感電動勢的大小取決於線圈自感係數和本身電流變化的快慢，自感電動勢方向總是阻礙電流的變化。

高三物理知識點3

1.電流強度：I=q/t{I:電流強度(A)，q:在時間t內通過導體橫載面的電量(C)，t:時間(s)｝

2.歐姆定律：I=U/R{I:導體電流強度(A)，U:導體兩端電壓(V)，R:導體阻值(Ω)｝

3.電阻、電阻定律：R=ρL/S{ρ:電阻率(Ωm)，L:導體的長度(m)，S:導體橫截面積(m2)｝

4.閉合電路歐姆定律：I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U內+U外{I:電路中的總電流(A)，E:電源電動勢(V)，R:外電路電阻(Ω)，r:電源內阻(Ω)｝

5.電功與電功率：W=UIt，P=UI{W:電功(J)，U:電壓(V)，I:電流(A)，t:時間(s)，P:電功率(W)｝

6.焦耳定律：Q=I2Rt{Q:電熱(J)，I:通過導體的電流(A)，R:導體的電阻值(Ω)，t:通電時間(s)｝

7.純電阻電路中:由於I=U/R,W=Q，因三此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R

8.電源總動率、電源輸出功率、電源效率：P總=IE，P出=IU，η=P出/P總{I:電路總電流(A)，E:電源電動勢(V)，U:路端電壓(V)，η：電源效率｝

9.電路的串/並聯串聯電路(P、U與R成正比)並聯電路(P、I與R成反比)

電阻關係(串同並反)R串=R1+R2+R3+1/R並=1/R1+1/R2+1/R3+

電流關係I總=I1=I2=I3I並=I1+I2+I3+

電壓關係U總=U1+U2+U3+U總=U1=U2=U3

功率分配P總=P1+P2+P3+P總=P1+P2+P3+

10.歐姆表測電阻

(1)電路組成(2)測量原理

兩表筆短接後,調節Ro使電錶指針滿偏，得

Ig=E/(r+Rg+Ro)

接入被測電阻Rx後通過電錶的電流為

Ix=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)

由於Ix與Rx對應，因此可指示被測電阻大小

(3)使用方法:機械調零、選擇量程、歐姆調零、測量讀數{注意擋位(倍率)｝、撥off擋。

(4)注意:測量電阻時，要與原電路斷開,選擇量程使指針在中央附近,每次換擋要重新短接歐姆調零。

11.伏安法測電阻

電流表內接法：

電壓表示數：U=UR+UA

電流表外接法：

電流表示數：I=IR+IV

Rx的測量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+Rx>R真

Rx的測量值=U/I=UR/(IR+IV)=RVRx/(RV+R)

選用電路條件Rx>>RA[或Rx>(RARV)1/2]

12.滑動變阻器在電路中的限流接法與分壓接法

限流接法

電壓調節範圍小,電路簡單,功耗小

便於調節電壓的選擇條件Rp>Rx

電壓調節範圍大,電路複雜,功耗較大

便於調節電壓的選擇條件Rp

注：

(1)單位換算：1A=103mA=106μA;1kV=103V=106mA;1MΩ=103kΩ=106Ω

(2)各種材料的電阻率都隨温度的變化而變化,金屬電阻率隨温度升高而增大;

(3)串_阻大於任何一個分電阻,並_阻小於任何一個分電阻;

(4)當電源有內阻時,外電路電阻增大時,總電流減小,路端電壓增大;

(5)當外電路電阻等於電源電阻時,電源輸出功率_,此時的輸出功率為E2/(2r);

(6)其它相關內容：電阻率與温度的關係半導體及其應用超導及其應用〔見第二冊P127〕。